上海國(guó)際硅材料展覽會(huì)

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時(shí)間：2025年12月9-11日

地點(diǎn)：上海新國(guó)際博覽中心

報(bào)館名稱：國(guó)際碳材料大會(huì)暨硅材料展覽會(huì)

主辦方：勵(lì)展國(guó)際博覽

中國(guó)生產(chǎn)力促進(jìn)中心協(xié)會(huì)新材料專委會(huì)

承辦方：漢慕會(huì)展（上海）有限公司

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大家上午好！

近年來(lái)，隨著全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)，光伏產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，作為主流光伏材料的晶體硅生產(chǎn)技術(shù)革新成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2025年6月11日，由中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的"晶體硅結(jié)構(gòu)合成技術(shù)升級(jí)研討會(huì)"在北京召開(kāi)，來(lái)自科研院所、龍頭企業(yè)及設(shè)備供應(yīng)商的300余位專家，圍繞晶體硅制備工藝的突破性進(jìn)展展開(kāi)深度對(duì)話。

從單晶到N型的迭代演進(jìn)

會(huì)議首日，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所王建國(guó)團(tuán)隊(duì)發(fā)布的"超純N型單晶硅生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模型"引發(fā)熱議。該研究通過(guò)引入量子點(diǎn)輔助成核技術(shù)，將晶體缺陷密度降低至0.01/cm²量級(jí)，較傳統(tǒng)CZ法提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，采用該技術(shù)制備的210mm硅片平均少子壽命達(dá)3ms，光衰系數(shù)較P型硅片下降72%。隆基綠能首席技術(shù)官李華在現(xiàn)場(chǎng)演示了"連續(xù)加料直拉單晶"系統(tǒng)，通過(guò)多級(jí)溫度梯度控制，實(shí)現(xiàn)單爐次連續(xù)生產(chǎn)72小時(shí)，單位能耗較傳統(tǒng)工藝降低18%。

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